11月2日，2026中国芯集成电路产业促进大会暨第二十一届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海举行。本届活动共收到来自273家芯片企业的364款芯片产品报名，士兰微电子自主研发的SCDP230R012NB2CPHC芯片凭借突出的技术创新能力与产品性能，荣获第二十一届“中国芯”优秀技术创新产品奖。
产品核心介绍
SCDP230R012NB2CPHC是士兰微电子基于自主研发碳化硅技术推出的超高压2300V SiC MOSFET，在额定电压、导通电阻、开关损耗等关键参数上实现全面进阶，参数性能指标达到国际领先水平。依托IDM设计与制造一体化的优势，士兰微SiC MOS在提升效率性能的同时，具备高性价比、高一致性、高可靠性等特点，已在汽车电子、充电桩、AI数据中心电源、光伏储能、工业电源等应用取得较好的市场份额表现和客户反馈，为高压大功率电力电子提供国产化器件方案。
产品特点
- 133A，2300V，RDS(on)(typ.) = 12mΩ @ VGS = 18V
- 碳化硅技术
- 开关损耗低
- 低反向恢复电荷
- 降低散热要求
- 100%雪崩测试
- 无铅管脚镀层
- 符合RoHS环保标准
关于“中国芯”评选
“中国芯”系列活动是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一，其评选结果代表了国内集成电路产品的最高水准，充分体现了国内集成电路设计的发展与创新方向。此次获奖既是对SCDP230R012NB2CPHC产品价值及市场表现的认可，也是对士兰微技术积淀、创新能力与行业地位的肯定。
行业意义
自成立以来，士兰微电子持续提升研发实力、优化产品性能，为国产芯片的发展注入活力。其产品在白电、汽车、工业等领域已实现成熟应用，并正加速向新能源、AI算力、人形机器人等新兴赛道布局。在高压大功率场景中，SiC MOSFET的国产化供给能力，直接关系到充电桩、光伏储能与数据中心电源等应用的器件选型空间与成本结构。
通顺杰科技与SILAN
通顺杰科技专注于半导体应用技术方案设计与功率器件供应，产品中心设有SILAN品牌专区，可为家电、工业、消费与汽车电子客户提供器件选型、替代方案与电控设计支持。围绕SiC等宽禁带器件的应用落地，我们可配合客户完成方案评估与样品对接。
信息来源：士兰微（SILAN）官网
